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關于氮化鋁陶瓷的應用和特性
所屬分類：資訊動態 點擊次數：794 發布日期：2021-12-09
氮化鋁作為一種理想的半導體基片材料和電子器件封裝材料，不僅導熱性能好，線膨脹系數與硅接近，體積電阻率高，介電常數和介電損耗小，而且無毒，耐高溫和腐蝕，力學性能良好，綜合性能遠優于Al2O3和BeO。
氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中廣泛應用。
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